طراحی زیر لایه فوتونی مربعی و دایره ای شکل برای آنتن میکرواستریپ

آنتن های پچ به طور گسترده ای برای کاربرد های مختلف با توجه به هزینه کم آن ها، مشخصات کم، سازگاری با تکنولوژی آی سی، سهولت ساخت، نصب و راه اندازی روی سطوح با اشکال متفاوت بکار می ‌روند. هدف این مقاله بررسی روش جدید برای توسعه آنتن ‏های مایکرواستریپ پهن باند با استفاده از زیرلایه‏های حاوی بلورهای فوتونی می باشد. در این پژوهش با استفاده از روش) fdtd حوزه زمان تفاضل محدود) به  تجزیه و تحلیل آنتن پچ با و بدون عبور ساختار pbg ویژه، همراه با شبیه سازی مختلف پرداخته می‎شود. نتایج حکایت از آن دارد که امواج سطحی که در امتداد سطح پیش ماده و زیرآیند پراکنده می شوند  به واسطه تأثیر فاصله نواری کریستال نوری متقاطع به صورت نوار ممنوعه، به وسیله این ساختار فاصله نواری pbg می توانند جلوگیری کنند، که در عین حال می توانند بیشتر انرژی امواج الکترومغناطیسی در زیرآیند و پیش ماده را ساطع نماید و در عین حال دارای تلفات بازگشتی کمتری (s₁₁) در مقایسه با آنتن های پچ مرسوم باشد که بر این اساس، بازده و بهره بالایی بدست آمده و عملکرد آن تقویت یافته است. به واسطه این مزایا، استفاده از آنتن های پچ کریستال نوری در حوزه هایی مثل ارتباطات ماهواره ای و الکترونیک هواپیمایی و غیره گسترش خواهد یافت.