محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین

  • properties of the mo back contact for the formation of a thin-film photovoltaic absorber

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 810
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     a taguchi experimental design was used to find which deposition parameter has the most dominant effect on the electrical resistivity of molybdenum (mo) films. based on the most important parameter, the mo films were further characterized by structural, electrical, and adhesive methods. then, a copper indium gallium selenide (cigs) thin film was fabricated by a two-stage process on the obtained mo layer. the results show that working pressure had a dominant effect on electrical resistivity. the mo films deposited at 1 mtorr and 2 mtorr exhibited compressive strain and dense polycrystalline microstructure, whereas those deposited at 3 mtorr and 4 mtorr exhibited tensile strain and an elongated grain with open boundaries. a mo film with open porous structure, tensile strain, and lower resistivity was suitable for the formation of cigs films. after selenization at 560°c, a single-phase chalcopyrite cigs film with a layer of mose2 at the mo/cigs interface was obtained.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها