محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
اولین کنگره ملی سالانه فناوری های نوین و علوم نانو
جزئیات رویداد
اینستاگرام تی پی بین
همایش ، رویداد ، ژورنال
حوزه های تحت پوشش رویداد

  • تکنیک های طراحی مدار rf آنالوگ برای فناوری ic های با مقیاس نانومتری

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1396/09/28
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1396/09/28
    • تعداد بازدید: 555
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -

    در طراحی مدارات آنالوگ، cmos ها مشکلات زیادی را به وجود می آورند. عدم تطبیق بیش از حد نرمال نشتی گیت، نیازمند تکنیک هایی برای حذف تلرانس است. یک استراتژی برای مقابله با آن استفاده از منابع ولتاژ کمتر برای رسیدن به عملکرد بهتر نقاط بحرانی در منابع ولتاژ بیش تر، استفاده از ترکیب ترانزیستورهای اکسید نازک و اکسید ضخیم است. تکنیک های مدارات با ولتاژ متناوب پایین به طور موفقیت آمیزی گسترده شده اند. برای بهره گیری از تکنولوژی cmos در مقیاس نانومتر، قابلیت های بیشتری مانند بخش هایی از مدارات rf به دامنه های دیجیتالی انتقال داده شده است. هم زمان کنترل آنالوگ برای دیجیتال و کنترل دیجیتال برای آنالوگ جهت مقابله با جریان و اشکالاتی که در آینده ممکن است بروز کند به وجود آمده است.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها