همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین
حوزه های تحت پوشش رویداد
  • simulation of a ridge-type semiconductor laser for separate confinement of horizontal transverse modes and carriers

    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 982
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     a ridge-type semiconductor laser with selectively proton-implanted cladding layers for separate confinement of horizontal transverse modes and carriers is proposed, and lasing characteristics are simulated. light is confined by the proton-implanted n-cladding layer; carriers are confined by the proton-implanted p-cladding layer. it is found that light output operating in the fundamental transverse mode is enhanced and threshold current is decreased.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها