محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
اولین همایش ملی نانوتکنولوژی مزایا و کاربردها
جزئیات رویداد
همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین
حوزه های تحت پوشش رویداد

  • شبیه سازی و مقایسه جریاندهی ترانزیستورهای نانولوله گالیم نیترید با نانولوله کربنی

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/12/02
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/12/02
    • تعداد بازدید: 659
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -

    نانو لوله های گالیم نیترید شبیه سازی شده و با لوله های کربنی مقایسه شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که نانولوله های گالیم نیترید عمدتا نیمه هادی می باشد. محاسبات ساختار باند انرژی و چگالی حالت موید این مطلب است. در این مقاله از یک مدل تحلیلی دقیق که بر اساس تئوری تابع چگالی (dft) پایه ریزی شده، استفاده گردیده است. مشخصه ولتاژ- جریان یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله ای با گیت مسطح با کانال آن از نانو لوله گالیم نیترید زیگزاگ (iiui) می باشد مورد بررسی قرار گرفته و نتایج حاصل با نانو لوله کربنی مقایسه شده است. نتایج نشان میدهد با ابعاد و در شرایط مشابه ترانزیستورهای نانولوله گالیم نیترید نسبت به نانولوله های کربنی جریاندهی کمتری دارند.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها